| 引脚名称 | 引脚功能 |
| CLE | 命令锁存功能 |
| ALE | 地址锁存功能 |
| /CE | 芯片使能 |
| /RE | 读使能 |
| /WE | 写使能 |
| /WP | 写保护 |
| R/B | 就绪/忙输出信号 |
| Vcc | 电源 |
| Vss | 地 |
| N.C | 不接 |
| IO0~IO7 | 数据传输、命令、地址 |
二、存储组织形式
一个plane就是一个存储矩阵。包括若干个Block
OOB/Spare Area
每个页，相应另一块区域。叫做空暇区域（SpareArea）。在Linux系统中。一般叫做OOB（Out of Band）。
数据在读写的时候相对easy错误，所以为了保证数据的正确性。必需要有相应的检測和纠正机制，此机制叫做ECC/EDC，所以设计了多余的区域，用于存放数据的校验值。
OOB的读写是随着随着页的操作一起完毕的。
OOB的详细用途包含下面几个方面：
► 标记所处的block是否为坏块
► 存储ECC数据
► 存储一些和文件系统相关的数据。如jaffs2就会用到这些空间存储一些特定信息。而yaffs2文件系统。会在 oob中存放非常多和自己文件系统相关的信息
一个16G的NAND的存储结构大致例如以下：
一个16G的NANDFlash须要34位地址，而传输地址的IO口是8位的。因此须要5个循环来传输地址信息。
NAND Flash中的坏块
Nand Flash 中。一个块中含有1 个或多个位是坏的，就称为其为坏块Bad Block。坏块的稳定性是无法保证
的。也就是说，不能保证你写入的数据是对的。或者写入对了。读出来也不一定对的。与此相应的正常的块。肯定
是写入读出都是正常的。
坏块有两种：
（1）出厂时就有存在的坏块：
一种是出厂的时候。也就是，你买到的新的，还没用过的Nand Flash，就能够包括了坏块。此类出厂时就 有的坏块，被称作factory (masked) bad block 或initial bad/invalid block，在出厂之前，就会做相应的标记，
标为坏块。
（2） 使用过程中产生的坏块：
第二类叫做在使用过程中产生的，因为使用过程时间长了，在擦块除的时候，出错了，说明此块坏了，也
要在程序执行过程中，发现。而且标记成坏块的。详细标记的位置。和上面一样。这类块叫做worn-out
bad block。即用坏了的块。
SLC和MLC的实现机制
NANDFlash依照内部存储数据单元的电压的不同层次。也就是单个内存单元中。是存储1位数据，还是多位数 据，能够分为SLC和MLC。
► SLC（Single Level Cell）
单个存储单元仅仅存储1位，表示1或0。
对于Nand Flash写入1，就是控制ExternalGate去充电。使得存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示1了。
而对于写入0。就是将其放电。电荷降低到小于Vth，就表示0了
► MLC（Multi Level Cell）
与SLC相应的，就是单个存储单元能够存储多个位。比方2位、4位等。
事实上现机制就是，通过控制内部电荷
的多少。分成多个阈值，从而储存为不同的数据。
单个存储单元能够存储2位数据的，称作2的2次方 = 4 LevelCell